（通讯员 李伟嘉）第九届IWN国际会议（International Workshop on Nitride Semiconductors）于2014年8月24日至29日，在波兰弗洛茨瓦夫市的百年厅召开。best365网页版登录官网陈伟伟博士、宽禁带半导体国家重点学科实验室赵胜雷博士和李祥东硕士研究生三人，应IWN-2014组委会的邀请参加了此次会议。本次会议由波兰科学研究院、弗洛茨瓦夫大学等单位承办，并得到了德国AIXTRON,德国LayTec，荷兰PANalytical,美国Plasma-Therm和波兰TopGaN公司的共同赞助。
    IWN国际会议是关于氮化物半导体的国际知名会议，代表了氮化物在微电子领域的最新进展。IWN-2014吸引了来自世界各地的800多位氮化物方面的专家学者，其中中国学者有40多位，分别来自于best365网页版登录官网，北京大学、香港科技大学、西安交通大学、中科院半导体所等高校或研究所。
    此次会议讨论的主题分为基础物理理论与表征、材料生长、电子器件和光学器件四个部分。best365网页版登录官网氮化镓课题组在此次会议上录用2篇oral论文和7篇poster论文，其研究内容涉及GaN基HEMT可靠性，击穿电压的表征方法、材料的生长与表征等。会议期间，三位研究生同学与南卡罗来纳大学M. Asif Khan教授、意大利帕多瓦大学Enrico Zanoni教授、香港科技大学陈敬教授、西安交通大学云峰教授等国内外多位专家学者进行了不同程度的学术交流。通过认真听取报告、与其他专家学者交流，西电GaN课题组了解到了本领域的最新研究热点，这对本课题科研方面的发展具有很大的、积极的意义。与此同时，通过展示我校在该方面的科研成果，进一步提高了我校在该领域的国际知名度，并为我校与其他科研机构在该领域内的合作起到了一定的促进作用。